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陶瓷电容在高温条件下的击穿原理

来源: | 发布日期:2021-05-11

半密封性陶瓷电容器在高湿度环境中工作时,常见的严重问题是其击穿失效。击穿现象可分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两种类型。

电介质击穿按其发生时间先后可分为早击穿和早击穿,早击穿在电容介质材料和生产工艺上都存在缺陷。

这种缺陷使陶瓷介质的介电强度大大降低,以致在高湿度环境中,在耐压试验期间或工作初期,电击穿会发生。

老化性击穿主要属于电化学击穿。随着陶瓷电容器中银离子的迁移,陶瓷电容器老化击穿现象十分普遍。



陶瓷电容在高温条件下的击穿原理

由银迁移形成的导电枝条,使得漏电流局部增大,可导致热击穿,导致电容器破裂或烧毁。

热击穿多发生在小型管状或圆片状陶瓷介质电容器中,由于热击穿时局部发热严重,较薄的管壁或陶瓷小体易被烧毁或断裂。


【本文标签】 陶瓷电容 高温下的陶瓷电容 陶瓷电容击穿原理

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